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表-存储器类型 |
存储器 | 按层次分类 | 寄存器 | 触发器组 | |
缓存 （半导体） | | SRAM |
主存 （半导体） | 随机存储器 （RAM，易失性） | SRAM |
DRAM |
只读存储器 （ROM，非易失性） | MROM |
PROM |
EPROM |
EEPROM |
辅存 | | 磁盘（直接存取） |
磁带（顺序存取） |
光盘 |
闪存 （半导体） | | U盘 |
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按寻址方式分类 | 按内容寻址 | CAM（相联存储） |
按地址寻址 | RAM（随机存取） |
DAM（直接存取） |
SAM（顺序存取） |
说明： 1) 对半导体存储器而言，基本器件分为两种：MOS型和TTL型。 2) MROM的内容在ROM制成后便不可再修改；PROM的内容在ROM制成后仅可编程1次；EPROM的内容在ROM制成后可通过紫外线照射擦除实现可重复编程，只能全部擦除，不可局部擦除；EEPROM的内容在ROM制成后可通过电气方法擦除实现可重复编程，既能全部擦除，也可局部擦除。 |
表-存储系统的层次结构 |
存储系统 | 层次结构 | 解决问题 | 实现方式 | 性能分析 |
Cache 存储系统 | 缓存-主存 | 主要解决CPU和主存速度不匹配的问题 | 主存和缓存之间的数据调动是由硬件自动完成的（速度快），对程序员是透明的 | 速度接近缓存，容量和位价接近主存 |
虚拟 存储系统 | 主存-辅存 | 主要解决存储系统的容量问题 | 主存和辅存之间的数据调动是由硬件和操作系统共同完成的 | 速度接近主存，容量和位价接近辅存 |
表-半导体存储器的组成结构 |
结构框图 | 
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相关定义 | 机器字长：CPU一次能处理数据的位数，等于CPU的寄存器的位数； 存储字长：主存一次能存取数据的位数，等于存储单元的位数； |
存取速度 | 存取速度由存取时间和存取周期表示。 |
存取时间 | 又称访问时间，是指启动一次存储器操作（读或写）到完成该操作所需的全部时间。存取时间分读出时间和写入时间两种。读出时间是从存储器接收到有效地址开始，到产生有效输出所需的全部时间。写入时间是从存储器接收到有效地址开始，到数据写入被选中单元为止所需的全部时间。 |
存取周期 | 存储器进行连续两次独立的存储器操作所需的最小间隔时间。通常存储周期大于存储时间。 |
表-存储芯片的译码驱动方式 |
译码驱动方式 | 特点 | | |
线选法 | 每次选择一个存储字 | | |
重合法 | 每次选择一个存储位 | | |
表-静态RAM和动态RAM的比较 |
RAM | 存储信息的原理 | 读取方式 | 速度 | 功耗 | 集成度 |
静态RAM | 双稳态触发器工作原理 | 非破坏性读 | 快 | 高 | 低 |
动态RAM | 电容存储电荷的原理 | 三管式 | 非破坏性读 | 慢（需刷新） | 低 | 高（DRAM的基本单元电路的MOS管少，功耗低散热少，故集成度高） |
单管式 | 破坏性读 |
说明： 1) 称为动态RAM的原因是因为存储原理需电容动态充放电。 |
表-动态RAM的刷新 |
动态RAM的刷新过程 | 刷新的过程实质上是先将原存信息读出，再由刷新放大器形成原信息并重新写入的再生过程。刷新是一行行进行的，即以行为最小刷新单位。 |
动态RAM的刷新周期 | 刷新必须定时进行，它规定在一定的时间内，对动态RAM的全部基本单元电路必作一次刷新，一般取2ms，这个时间称为刷新周期，又称再生周期。 |
动态RAM的刷新方式 | 集中刷新 | 在一个刷新周期内，对全部存储单元集中一段时间逐行进行刷新，此刻必须停止读/写操作，这段不能进行读/写操作的时间称为死时间，又称访存死区。 |
分散刷新 | 对每行存储单元的刷新分散到每个存取周期内完成。每个存储周期只刷新一行。存储周期分为前后两段，前半段用来读/写或维持信息，后半段用来刷新。 |
异步刷新 | 将对全部存储单元的刷新均匀分布在一个刷新周期内完成，每一行的刷新只占用一个完整的存取周期。异步刷新是集中刷新和分散刷新两种方式的结合，既可缩短死时间（与集中刷新相比，只是将单次的死时间缩短了，但每个刷新周期内总的死时间没有改变），又可充分利用最大刷新间隔为2ms（刷新周期）的特点。 |
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